首页 > 商品目录 > > > > NVMFS5C456NLT3G代替型号比较

NVMFS5C456NLT3G  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 NVMFS5C456NLT3G RS6G120BGTB1
唯样编号 A-NVMFS5C456NLT3G A3-RS6G120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) HSOP8 (Single)
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 120A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.34mΩ@90A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVMFS5C456NLT3G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥14.7378 

阶梯数 价格
20: ¥14.7378
50: ¥10.1957
100: ¥9.6304
500: ¥9.2566
1,000: ¥9.18
1,756 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

¥10.5694 

阶梯数 价格
20: ¥10.5694
50: ¥6.0274
64 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消