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NTTFS4C06NTAG  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 NTTFS4C06NTAG RQ3E180GNTB
唯样编号 A-NTTFS4C06NTAG A36-RQ3E180GNTB
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@18A,10V
上升时间 - 6.9ns
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs - ±20V
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
正向跨导 - 最小值 - 17S
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) HSMT-8
连续漏极电流Id - 18A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
典型接通延迟时间 - 16.5ns
库存与单价
库存 0 2,991
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.475
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.76
1,500+ :  ¥1.661
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTTFS4C06NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 当前型号
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DFN3x3EP

¥1.298 

阶梯数 价格
40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 对比
AON7538 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
4,969 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
104 对比

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