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IRLZ24NSTRLPBF  与  BUK9675-55A,118  区别

型号 IRLZ24NSTRLPBF BUK9675-55A,118
唯样编号 A-IRLZ24NSTRLPBF A-BUK9675-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@11A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),45W(Tc) 62W
输出电容 - 90pF
栅极电压Vgs ±16V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 18A 20A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V -
输入电容 - 440pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 81mΩ@4.5V,68mΩ@10V,75mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥4.7647
400+ :  ¥4.0379
800+ :  ¥3.7045
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