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IRLZ24NSTRLPBF  与  AUIRLZ24NSTRL  区别

型号 IRLZ24NSTRLPBF AUIRLZ24NSTRL
唯样编号 A-IRLZ24NSTRLPBF A-AUIRLZ24NSTRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@11A,10V 60mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),45W(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 18A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V 480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V 15nC @ 5V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ24NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB36NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 4,000 对比
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TO-263-3

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BUK9675-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9675-55A_SOT404

¥4.7647 

阶梯数 价格
210: ¥4.7647
400: ¥4.0379
800: ¥3.7045
0 对比
AUIRLZ24NSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
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BUK7635-55A_SOT404

¥10.5468 

阶梯数 价格
180: ¥10.5468
400: ¥8.2397
800: ¥6.7538
0 对比

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