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IRLR3705ZTRPBF  与  DMTH6010LK3-13  区别

型号 IRLR3705ZTRPBF DMTH6010LK3-13
唯样编号 A-IRLR3705ZTRPBF A36-DMTH6010LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC 130 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@42A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 3.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2090 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 41.3 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 89A 14.8A(Ta),70A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 5,150
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.663
100+ :  ¥2.827
1,250+ :  ¥2.453
2,500+ :  ¥2.31
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3705ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
1,250: ¥2.453
2,500: ¥2.31
5,150 对比
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
BUK7212-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7212-55B_SOT428

¥10.9719 

阶梯数 价格
10: ¥10.9719
100: ¥8.1273
1,000: ¥6.3002
1,250: ¥5.1641
2,500: ¥4.7377
2,299 对比
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK7210-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7210-55B_SOT428

¥13.628 

阶梯数 价格
400: ¥13.628
1,000: ¥10.0948
1,250: ¥7.8866
2,500: ¥6.4644
0 对比

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