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IRLR3410TRPBF  与  AOD2922  区别

型号 IRLR3410TRPBF AOD2922
唯样编号 A-IRLR3410TRPBF A36-AOD2922
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V 140mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 176mΩ
Qgd(nC) - 0.8
栅极电压Vgs ±16V 20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 17A 7A
Ciss(pF) - 250
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 19
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 17W
Qrr(nC) - 52
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
Coss(pF) - 19
Qg*(nC) - 1.8
库存与单价
库存 2,000 159
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.606
100+ :  ¥1.232
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.683
1,250: ¥1.452
2,500: ¥1.375
5,422 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
159 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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