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IRLML6346TRPBF  与  DMG3406L-13  区别

型号 IRLML6346TRPBF DMG3406L-13
唯样编号 A-IRLML6346TRPBF A36-DMG3406L-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ@3.4A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 770mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@3.6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 495 pF @ 15 V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.2 nC @ 10 V
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 3.6A(Ta)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 24V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 24V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC -
库存与单价
库存 0 10,494
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.616
100+ :  ¥0.5018
500+ :  ¥0.4563
2,500+ :  ¥0.4225
5,000+ :  ¥0.3952
10,000+ :  ¥0.3692
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6396 

阶梯数 价格
80: ¥0.6396
200: ¥0.4134
1,500: ¥0.3588
3,000: ¥0.3172
16,929 对比
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.616 

阶梯数 价格
90: ¥0.616
100: ¥0.5018
500: ¥0.4563
2,500: ¥0.4225
5,000: ¥0.3952
10,000: ¥0.3692
10,494 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
100 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

暂无价格 3 对比

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