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IRLML5203TRPBF  与  AO3421E  区别

型号 IRLML5203TRPBF AO3421E
唯样编号 A-IRLML5203TRPBF A36-AO3421E
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 27.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ@3A,10V 95mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 160mΩ
Qgd(nC) - 1.2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 SOT-23 SOT23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 3A -3A
Ciss(pF) - 215
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9
Td(off)(ns) - 13.5
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 16
VGS(th) - -2.5
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
Coss(pF) - 46.5
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 0 5,547
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6391
200+ :  ¥0.52
1,500+ :  ¥0.4732
3,000+ :  ¥0.442
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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90: ¥0.6094
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1,500: ¥0.4043
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110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
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AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
5,547 对比
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60: ¥0.8701
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