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IRLML5203TRPBF  与  NTR4502PT1G  区别

型号 IRLML5203TRPBF NTR4502PT1G
唯样编号 A-IRLML5203TRPBF A3-NTR4502PT1G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ@3A,10V 200mΩ@-1.95A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 400mW(Tj)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A -1.13A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 18,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 18,000 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6094 

阶梯数 价格
90: ¥0.6094
200: ¥0.4641
1,500: ¥0.4043
3,000: ¥0.3575
7,312 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
6,136 对比
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
5,547 对比
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.8701 

阶梯数 价格
60: ¥0.8701
200: ¥0.6006
3,243 对比

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