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IRLML5103TRPBF  与  BSH203,215  区别

型号 IRLML5103TRPBF BSH203,215
唯样编号 A-IRLML5103TRPBF A36-BSH203,215
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@600mA,10V -
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 0.417W
输出电容 - 27pF
栅极电压Vgs ±20V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.76A -0.47A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V -
输入电容 - 110pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 900mΩ@280mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 872
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.891
200+ :  ¥0.6138
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.8701 

阶梯数 价格
60: ¥0.8701
200: ¥0.6006
3,243 对比
BSH202,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

BSH202_SOT23

¥1.0181 

阶梯数 价格
1: ¥1.0181
25: ¥0.8777
100: ¥0.7565
1,000: ¥0.6521
3,000: ¥0.5623
3,000 对比
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
872 对比
BSH202,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

BSH202_SOT23

¥1.0511 

阶梯数 价格
580: ¥1.0511
1,000: ¥0.8148
1,500: ¥0.6679
3,000: ¥0.6017
0 对比
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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