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IRLML5103TRPBF  与  ZXM61P03FTA  区别

型号 IRLML5103TRPBF ZXM61P03FTA
唯样编号 A-IRLML5103TRPBF A-ZXM61P03FTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23 ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@600mA,10V 350mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 625mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.76A 1.1A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V 140pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V 4.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.1nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.8701 

阶梯数 价格
60: ¥0.8701
200: ¥0.6006
3,243 对比
BSH202,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

BSH202_SOT23

¥1.0181 

阶梯数 价格
1: ¥1.0181
25: ¥0.8777
100: ¥0.7565
1,000: ¥0.6521
3,000: ¥0.5623
3,000 对比
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
872 对比
BSH202,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

BSH202_SOT23

¥1.0511 

阶梯数 价格
580: ¥1.0511
1,000: ¥0.8148
1,500: ¥0.6679
3,000: ¥0.6017
0 对比
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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