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IRLL014NTRPBF  与  ZXMN6A11GTA  区别

型号 IRLL014NTRPBF ZXMN6A11GTA
唯样编号 A-IRLL014NTRPBF A36-ZXMN6A11GTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@2A,10V 120mΩ@2.5A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A 4.4A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 25V 330pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V 5.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 230pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 415
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.519
50+ :  ¥1.936
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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