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IRL1004PBF  与  PSMN8R0-40PS,127  区别

型号 IRL1004PBF PSMN8R0-40PS,127
唯样编号 A-IRL1004PBF A-PSMN8R0-40PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@78A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 86W
输出电容 - 327pF
栅极电压Vgs ±16V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 130A 77A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5330pF @ 25V -
输入电容 - 1262pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5330pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥6.4837
50+ :  ¥5.3145
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL1004PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PSMN8R0-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R0-40PS_SOT78

¥6.4837 

阶梯数 价格
20: ¥6.4837
50: ¥5.3145
0 对比
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