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IRL1004PBF  与  DMNH45M7SCT  区别

型号 IRL1004PBF DMNH45M7SCT
唯样编号 A-IRL1004PBF A-DMNH45M7SCT
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@78A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 240W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4043 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 64.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 130A 220A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5330pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5330pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-220AB

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阶梯数 价格
20: ¥6.4837
50: ¥5.3145
0 对比
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