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IRFZ48NSTRLPBF  与  RSJ400N06FRATL  区别

型号 IRFZ48NSTRLPBF RSJ400N06FRATL
唯样编号 A-IRFZ48NSTRLPBF A-RSJ400N06FRATL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.8 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@32A,10V 11mΩ
上升时间 - 60ns
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),130W(Tc) 50W
Qg-栅极电荷 - 52nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK D2PAK-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 64A 40A,40A
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 140ns
典型接通延迟时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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