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IRFZ44VZSPBF  与  BUK9614-60E,118  区别

型号 IRFZ44VZSPBF BUK9614-60E,118
唯样编号 A-IRFZ44VZSPBF A-BUK9614-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
栅极电压Vgs - 1.7V
封装/外壳 - SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 57A 56A
长度 10.67mm -
输入电容 - 1988pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
高度 4.83mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 35 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 92W 96W
晶体管配置 -
输出电容 - 196pF
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET -
Rds On(max)@Id,Vgs - 12.8mΩ@10V,14mΩ@5V
典型接通延迟时间 14 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥12.4316
400+ :  ¥9.7122
800+ :  ¥7.9608
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阶梯数 价格
180: ¥12.4316
400: ¥9.7122
800: ¥7.9608
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