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IRFS4610TRLPBF  与  AOB298L  区别

型号 IRFS4610TRLPBF AOB298L
唯样编号 A-IRFS4610TRLPBF A-AOB298L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@44A,10V 14.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 190W(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 73A 9A(Ta),58A(Tc)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4610TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100BS_SOT404

¥7.3276 

阶梯数 价格
210: ¥7.3276
400: ¥6.2098
800: ¥5.6971
0 对比
AOB298L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比
IPB144N12N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB144N12N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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