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IRFS4410TRLPBF  与  AOB288L  区别

型号 IRFS4410TRLPBF AOB288L
唯样编号 A-IRFS4410TRLPBF A-AOB288L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 200 W 180 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 14
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@58A,10V 8.9mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 12.2mΩ
Qgd(nC) - 4
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 11.5
封装/外壳 D²PAK(TO-263AB) TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 96A 46A
Ciss(pF) - 1871
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 32
Td(off)(ns) - 21.5
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 93.5W
Qrr(nC) - 162
VGS(th) - 3.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
Coss(pF) - 265
Qg*(nC) - 26.5
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.0816
100+ :  ¥4.3824
400+ :  ¥3.7722
800+ :  ¥2.98
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 当前型号
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比
BUK768R1-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-100E_SOT404

¥16.2501 

阶梯数 价格
190: ¥16.2501
400: ¥12.5001
800: ¥11.062
0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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