首页 > 商品目录 > > > > IRFR5305TRLPBF代替型号比较

IRFR5305TRLPBF  与  DMPH6050SK3-13  区别

型号 IRFR5305TRLPBF DMPH6050SK3-13
唯样编号 A-IRFR5305TRLPBF A36-DMPH6050SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 1.9W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1377 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 31A 7.2A(Ta),23.6A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 437
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.266
100+ :  ¥1.738
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5305TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,250: ¥1.496
2,500: ¥1.408
2,761 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 2,000 对比
DMPH6050SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥2.266 

阶梯数 价格
30: ¥2.266
100: ¥1.738
437 对比
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
SPD30P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06PGBTMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售