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IRFR5305TRLPBF  与  AOD409  区别

型号 IRFR5305TRLPBF AOD409
唯样编号 A-IRFR5305TRLPBF A36-AOD409
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 153
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@16A,10V 40mΩ@-20A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 55mΩ
Qgd(nC) - 10
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 31A -26A
Ciss(pF) - 2977
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
Trr(ns) - 40
Td(off)(ns) - 38
漏源极电压Vds 55V -60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 60W
Qrr(nC) - 59
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
Coss(pF) - 241
Qg*(nC) - 22.2
库存与单价
库存 0 2,761
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.233
100+ :  ¥1.716
1,250+ :  ¥1.496
2,500+ :  ¥1.408
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5305TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,250: ¥1.496
2,500: ¥1.408
2,761 对比
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DPAK

暂无价格 2,000 对比
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阶梯数 价格
30: ¥2.266
100: ¥1.738
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