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IRFR4104TRPBF  与  DMNH4006SK3Q-13  区别

型号 IRFR4104TRPBF DMNH4006SK3Q-13
唯样编号 A-IRFR4104TRPBF A-DMNH4006SK3Q-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@42A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 2.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@86A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2280 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 51 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 119A 20A(Ta),140A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2950pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR4104TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 50 当前型号
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥4.972 

阶梯数 价格
3,000: ¥4.972
6,000: ¥4.906
9,000 对比
DMNH4006SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR4104TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
BUK9207-30B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9207-30B_SOT428

¥15.3792 

阶梯数 价格
400: ¥15.3792
1,000: ¥10.6064
1,250: ¥8.9885
2,500: ¥7.3676
0 对比

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