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IRFR3711TRLPBF  与  IRFR3711  区别

型号 IRFR3711TRLPBF IRFR3711
唯样编号 A-IRFR3711TRLPBF A-IRFR3711
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V 6.5mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),120W(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK DPAK
连续漏极电流Id 100A(Tc) 100A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2980pF @ 10V 2980pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V 44nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3711TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

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IRFR3711 Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

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