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功率MOSFET   DPAK

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制造商编号 IRFR3711
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFR3711
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),120W(Tc)
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商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 100A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2980pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),120W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
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