首页 > 商品目录 > > > > IRFR3709ZTRLPBF代替型号比较

IRFR3709ZTRLPBF  与  PHD101NQ03LT,118  区别

型号 IRFR3709ZTRLPBF PHD101NQ03LT,118
唯样编号 A-IRFR3709ZTRLPBF A-PHD101NQ03LT,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 166W
输出电容 - 600pF
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±20V 1.9V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK SOT428
连续漏极电流Id 86A(Tc) 75A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
输入电容 - 2180pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.5mΩ@5V,5.5mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3709ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IRFR3709ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
PHD101NQ03LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHD101NQ03LT_SOT428

暂无价格 0 对比
IPD50N03S207ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S2-07_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD075N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD075N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售