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IRFR3709ZTRLPBF  与  IRFR3709ZTRPBF  区别

型号 IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRPBF
唯样编号 A-IRFR3709ZTRLPBF A-IRFR3709ZTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 79 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@15A,10V 6.5mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 79W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
连续漏极电流Id 86A(Tc) 86A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2330pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2330pF 2330pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3709ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
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