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IRFR3411TRPBF  与  IPD30N10S3L34ATMA1  区别

型号 IRFR3411TRPBF IPD30N10S3L34ATMA1
唯样编号 A-IRFR3411TRPBF A-IPD30N10S3L34ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1976pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 31 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 29uA
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D-Pak

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
20: ¥3.135
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1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比

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