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IRFR2307ZTRLPBF  与  IPD35N10S3L-26  区别

型号 IRFR2307ZTRLPBF IPD35N10S3L-26
唯样编号 A-IRFR2307ZTRLPBF A-IPD35N10S3L-26
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2307ZTRLPBF, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ 24mΩ
上升时间 - 4ns
Qg-栅极电荷 - 30nC
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
栅极电压Vgs - 10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 53A 35A
配置 - Single
长度 6.73mm 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
下降时间 - 3ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2190pF @ 25V -
高度 2.39mm 2.3mm
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 44 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) 110W 71W
晶体管配置 -
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET OptiMOS-T
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 16 ns 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR2307ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 53A 16mΩ 110W

暂无价格 0 当前型号
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK9215-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9215-55A_SOT428 N-Channel 115W 175℃ 1.5V 55V 62A

¥14.5848 

阶梯数 价格
400: ¥14.5848
1,000: ¥10.0585
1,250: ¥8.5241
2,500: ¥6.987
0 对比
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L-21_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L-26 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L26ATMA1_100V 35A 24mΩ 10V 71W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2L-21 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L21ATMA1_±20V 136W(Tc) 20.5mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO252-3-11 N-Channel 75V 30A(Tc)

暂无价格 0 对比

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