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IRFR1018ETRPBF  与  TK60S06K3L(T6L1,NQ  区别

型号 IRFR1018ETRPBF TK60S06K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-IRFR1018ETRPBF A33-TK60S06K3L(T6L1,NQ-0
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2900 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 60 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 79A 60A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 88W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8 毫欧 @ 30A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,576
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.4778
50+ :  ¥5.0979
100+ :  ¥4.8487
500+ :  ¥4.5134
1,000+ :  ¥4.408
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1018ETRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

¥6.4778 

阶梯数 价格
30: ¥6.4778
50: ¥5.0979
100: ¥4.8487
500: ¥4.5134
1,000: ¥4.408
1,738 对比
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

¥6.4778 

阶梯数 价格
30: ¥6.4778
50: ¥5.0979
100: ¥4.8487
500: ¥4.5134
1,000: ¥4.408
1,576 对比
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