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IRFR1018ETRPBF  与  IPD90N06S4L05ATMA1  区别

型号 IRFR1018ETRPBF IPD90N06S4L05ATMA1
唯样编号 A-IRFR1018ETRPBF A-IPD90N06S4L05ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 107W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.4mΩ@47A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8180pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 79A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.6 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 60uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1018ETRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

¥6.4778 

阶梯数 价格
30: ¥6.4778
50: ¥5.0979
100: ¥4.8487
500: ¥4.5134
1,000: ¥4.408
1,738 对比
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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50: ¥5.0979
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AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO252

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IPD90N06S4L05ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD088N06N3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD088N06N3 G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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