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IRFH8334TRPBF  与  TPN8R903NL,LQ  区别

型号 IRFH8334TRPBF TPN8R903NL,LQ
唯样编号 A-IRFH8334TRPBF A-TPN8R903NL,LQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),30W(Tc) 700mW(Ta),22W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.9 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 820 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 100uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.8 nC @ 4.5 V
封装/外壳 PQFN 5X6 8L 8-TSON Advance(3.1x3.1)
连续漏极电流Id 14A(Ta),44A(Tc) 20A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH8334TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN5X68L

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