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IRFH8324TRPBF  与  RQ3E180AJTB  区别

型号 IRFH8324TRPBF RQ3E180AJTB
唯样编号 A-IRFH8324TRPBF A33-RQ3E180AJTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@20A,10V 4.5mΩ@18A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),54W(Tc) 2W(Ta),30W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PG-TDSON-8 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 23A(Ta),90A(Tc) 18A(Ta),30A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 1.5V @ 11mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2380pF @ 10V 4290pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V 39nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 2,234
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.3244
50+ :  ¥3.5551
100+ :  ¥3.3731
500+ :  ¥3.1431
1,000+ :  ¥3.0377
2,000+ :  ¥2.8269
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1: ¥1.3333
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1,000: ¥0.7647
2,500: ¥0.6582
5,000: ¥0.52
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¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥3.5551
100: ¥3.3731
500: ¥3.1431
1,000: ¥3.0377
2,000: ¥2.8269
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