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IRFH5304TRPBF  与  CSD17310Q5A  区别

型号 IRFH5304TRPBF CSD17310Q5A
唯样编号 A-IRFH5304TRPBF A32-CSD17310Q5A
制造商 Infineon Technologies TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@47A,10V 5.1 毫欧 @ 20A,8V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),46W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V +10V,-8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 22A 21A(Ta),100A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 3V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 10V 1560pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 11.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 35
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比
AON7422E_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN-EP(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
AON7424 AOS 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比

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