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IRFH5210TRPBF  与  DMT10H015LFG-13  区别

型号 IRFH5210TRPBF DMT10H015LFG-13
唯样编号 A-IRFH5210TRPBF A-DMT10H015LFG-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.6 W 39 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.9mΩ@33A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta) 2W(Ta),35W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1871 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.3 nC @ 10 V
封装/外壳 PQFN(5x6) PowerDI3333-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 10A 10A(Ta),42A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
驱动电压 - 6V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2570pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2570pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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PQFN(5x6)

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