首页 > 商品目录 > > > > IRFB38N20DPBF代替型号比较

IRFB38N20DPBF  与  FDP39N20  区别

型号 IRFB38N20DPBF FDP39N20
唯样编号 A-IRFB38N20DPBF A32-FDP39N20-0
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 60 nC 3.8 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 251W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 54mΩ@26A,10V 66 毫欧 @ 19.5A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),300W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 38A 39A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V 2130pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V 49nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥10.6
100+ :  ¥10.335
200+ :  ¥10.0766
500+ :  ¥9.8247
1,000+ :  ¥9.5791
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP40NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 6,950 对比
FDP39N20 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥10.6 

阶梯数 价格
50: ¥10.6
100: ¥10.335
200: ¥10.0766
500: ¥9.8247
1,000: ¥9.5791
1,000 对比
FDP52N20 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥9.891 

阶梯数 价格
1: ¥9.891
5 对比
STP40NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PHP33NQ20T,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP33NQ20T_SOT78

¥9.9423 

阶梯数 价格
20: ¥9.9423
50: ¥8.1494
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售