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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | UniFET™ | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 357W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 49m Ohms@26A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220AB | |
| 连续漏极电流Id | 52A | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 200V | |
| 连续漏极电流Id | 52A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| 功率 | 357W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 49 毫欧 @ 26A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1+ | ￥9.891 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 2049
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDP52N20 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220AB TO-220-3 |
￥9.891
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5 | 当前型号 | ||||
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IRFB38N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFB42N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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