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通用MOSFET   357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 52A N-Channel 200V 52A(Tc) ±30V 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

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制造商编号 FDP52N20
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-FDP52N20
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FDP52N20 Series 200 V 52 A 0.049 Ohm Through Hole N-Channel MOSFET - TO-220-3
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357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 52A N-Channel 200V 52A(Tc) ±30V 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB

暂无价格 0 对比
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±30V 2.4W(Ta),330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 55mΩ@26A,10V N-Channel 200V 44A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
系列 UniFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 49m Ohms@26A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220AB
连续漏极电流Id 52A
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 200V
连续漏极电流Id 52A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
栅极电压Vgs ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V
功率 357W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 49 毫欧 @ 26A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
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