首页 > 商品目录 > > > > IRFB3306PBF代替型号比较

IRFB3306PBF  与  STP160N75F3  区别

型号 IRFB3306PBF STP160N75F3
唯样编号 A-IRFB3306PBF A-STP160N75F3
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 160A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF3205PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
DMTH6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRF1405ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
BUK954R8-60E,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK954R8-60E_SOT78

¥12.3751 

阶梯数 价格
20: ¥12.3751
50: ¥10.1435
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售