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IRFB3306PBF  与  DMTH6004SCT  区别

型号 IRFB3306PBF DMTH6004SCT
唯样编号 A-IRFB3306PBF A-DMTH6004SCT
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 2.8W(Ta),136W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.65mΩ@100A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4556 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 160A 100A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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