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IRFB3207ZPBF  与  IRF3808  区别

型号 IRFB3207ZPBF IRF3808
唯样编号 A-IRFB3207ZPBF A-IRF3808
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@75A,10V 7mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 170A 140A
Ptot max - 330.0W
QG - 150.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF -
Budgetary Price €€/1k - 0.81
RthJC max - 0.45K/W
漏源极电压Vds 75V 75V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 50.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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