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功率MOSFET   TO-220AB

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制造商编号 IRFB3207ZPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFB3207ZPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V
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商品目录 功率MOSFET
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@75A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 170A
漏源极电压Vds 75V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V
封装/外壳 TO-220AB
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商品简介

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