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IRFB3206GPBF  与  IRFB3206PBF  区别

型号 IRFB3206GPBF IRFB3206PBF
唯样编号 A-IRFB3206GPBF A-IRFB3206PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 3 mOhm 170 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 300W
Qg-栅极电荷 - 120nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 210A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 6540pF @ 50V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 6540pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 170nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥9.9402 

阶梯数 价格
210: ¥9.9402
500: ¥7.7737
1,000: ¥6.0635
0 对比

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