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功率MOSFET   TO-220AB 10mm

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制造商编号 IRFB3206PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFB3206PBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V
封装/外壳 TO-220AB
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 210A
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V
栅极电压Vgs ±20V
Qg-栅极电荷 120nC
Pd-功率耗散(Max) 300W
高度 15.65mm
长度 10mm
FET类型 N-Channel
宽度 4.4mm
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