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IRF8313TRPBF  与  DMN3015LSD-13  区别

型号 IRF8313TRPBF DMN3015LSD-13
唯样编号 A-IRF8313TRPBF A36-DMN3015LSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 21.6 mOhm 9 nC 2 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.5mΩ@9.7A,10V 15mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.2W
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.7A 8.4A
系列 HEXFET® DMN3015
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V 1415pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V 25.1nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 2,080
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.804
100+ :  ¥1.397
1,250+ :  ¥1.21
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8313TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 对比
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