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IRF8113TRPBF  与  AO4468  区别

型号 IRF8113TRPBF AO4468
唯样编号 A-IRF8113TRPBF A36-AO4468
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@17.2A,10V 17mΩ@10.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 17.2A 10.5A
Ciss(pF) - 740
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
Trr(ns) - 18
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 0 5,385
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7942
200+ :  ¥0.6474
1,500+ :  ¥0.5889
3,000+ :  ¥0.5499
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8113TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
5,385 对比
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¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 对比
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