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IRF8113TRPBF  与  AO4406A  区别

型号 IRF8113TRPBF AO4406A
唯样编号 A-IRF8113TRPBF A-AO4406A
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@17.2A,10V 11.5mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 17.2A 13A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2910pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
490+ :  ¥1.7156
1,000+ :  ¥1.35
1,500+ :  ¥1.0558
3,000+ :  ¥0.8235
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
5,385 对比
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1,000: ¥1.35
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