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IRF7855TRPBF  与  IRF7478TRPBF  区别

型号 IRF7855TRPBF IRF7478TRPBF
唯样编号 A-IRF7855TRPBF A-IRF7478TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.4mΩ@12A,10V 26mΩ@4.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A 7A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V 1740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 31nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF 1740pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC 31nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4264E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
200: ¥0.8591
1,477 对比
AO4264E AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥3.4493 

阶梯数 价格
490: ¥3.4493
1,000: ¥2.7142
1,500: ¥2.1226
3,000: ¥1.6557
0 对比
IRF7478TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7478TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比

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