| 制造商编号 | IRF7855TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRF7855TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：2.5W(Ta) 工作温度：-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs：9.4mΩ@12A,10V FET类型：N-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1560pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.4mΩ@12A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 封装/外壳 | 8-SO |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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IRF7855TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4264E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥1.111
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1,477 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4264E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥3.4493
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7478TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7478TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
￥69.4629
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1,830 | 对比 |
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