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IRF7424TRPBF  与  AO4407  区别

型号 IRF7424TRPBF AO4407
唯样编号 A-IRF7424TRPBF A-AO4407
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 22 mOhm 110 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 295
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@11A,10V 14mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 30mΩ
Qgd(nC) - 10
栅极电压Vgs ±20V 25V
Td(on)(ns) - 11
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 11A -12A
Ciss(pF) - 2060
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 30
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 22 Ohms
VGS(th) - -2.8
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4030pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
Coss(pF) - 370
Qg*(nC) - 30*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.298
1,250: ¥1.122
2,500: ¥1.0571
3,703 对比
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
2,500: ¥1.232
2,620 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.243
1,250: ¥1.0571
2,500: ¥0.8954
2,500 对比
AO4407 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

暂无价格 0 对比

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