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IRF7403TRPBF  与  FDS8884  区别

型号 IRF7403TRPBF FDS8884
唯样编号 A-IRF7403TRPBF A-FDS8884
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@4A,10V 23m Ohms@8.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A 8.5A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 635pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7403TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
100: ¥0.9526
1,250: ¥0.8063
2,046 对比
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8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

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