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IRF1407STRLPBF  与  SPB80N06S-08  区别

型号 IRF1407STRLPBF SPB80N06S-08
唯样编号 A-IRF1407STRLPBF A-SPB80N06S-08
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.8mΩ@78A,10V 8mΩ
上升时间 - 53ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 73S
封装/外壳 TO-263 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 32ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 300W
典型关闭延迟时间 - 54ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 22ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404

¥10.823 

阶梯数 价格
10: ¥10.823
100: ¥8.017
400: ¥6.7941
800: ¥6.2331
90 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK7606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7606-75B_SOT404

¥29.7875 

阶梯数 价格
180: ¥29.7875
400: ¥23.2715
800: ¥19.075
0 对比
IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N08S2L-07_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
SPB80N06S-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB80N06S08ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

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