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IRF1407STRLPBF  与  BUK6607-55C,118  区别

型号 IRF1407STRLPBF BUK6607-55C,118
唯样编号 A-IRF1407STRLPBF A-BUK6607-55C,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.8mΩ@78A,10V -
漏源极电压Vds 75V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 158W
输出电容 - 381pF
栅极电压Vgs ±20V 2.3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263 SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 100A 100A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V -
输入电容 - 3870pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC -
库存与单价
库存 0 90
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥10.823
100+ :  ¥8.017
400+ :  ¥6.7941
800+ :  ¥6.2331
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404

¥10.823 

阶梯数 价格
10: ¥10.823
100: ¥8.017
400: ¥6.7941
800: ¥6.2331
90 对比
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TO-263-3

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¥29.7875 

阶梯数 价格
180: ¥29.7875
400: ¥23.2715
800: ¥19.075
0 对比
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